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  • 三星量产 1TB 闪存芯片，读取速度最高1000MB/s

    三星表示，将在位于Pyeongtaek（平泽市）的工厂加大512GBeUFS闪存芯片的产能，以满足2019年上半年市场的强烈需求。2017年11月，三星宣布量产单芯片容量512GB的eUFS闪存，次年旗舰则搭配该闪存。更多精彩请关注我们的微信公众号：we...

  • 三星量产eMMC 5.0存储芯片：最快的嵌入式闪存

    此类芯片响应速度快，适用于运行大型游戏和办公应用，并提供更高速的高清视频的捕捉和重放。三星还将提供两种其它的eMMC 5.0 “Class700”芯片，容量为4GB和8GB。但是，这两种芯片不属于“Pro”类型的产品。

  • 三星量产 1TB 闪存芯片，读取速度最高1000MB/s

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  • 三星宣布开始量产两种30nm制程NAND闪存芯片

    不过三星这款产品目前主要面向移动存储设备，而不是高速存储设备。三星这种3位闪存芯片初期将主要应用在其8GB microSDHC闪存卡上，随后会将其逐步推广到更大容量的产品如USB闪盘等应用场合...

  • 顶级闪存芯片V

    [环球网科技综合报道]据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。三...

  • 三星发布512GB闪存芯片,面向移动设备开发,手机存储将匹敌电脑

    据报道，目前一些配置比较高的手机，采用了128GB或256GB的闪存存储，但是三星的新款芯片意味着存储容量将翻一倍。三星表示，这款512GB的闪存芯片专门面向移动设备开发，其中整合了八个多层存储数据的V-NAND芯片。和过去三星256G...

  • 三星宣布大规模生产128Gb MLC闪存芯片

    三星电子宣布，已经开始大规模生产128Gb，3-bit MLC NAND闪存芯片，并且采用10nm制程。三星表示，新的三星128Gb闪存，拥有400Mbps数据传输速率，采用DDR 2.0接口。产品针对未来的高密度内存解决方案，如嵌入式NAND存储和固...

  • 三星推1GB 90nm工艺OneNANDTM高速闪存(图)

    三星OneNAND闪存解决方案既可以单独使用，也可以与SDRAM配套用于MCP(多芯片封装)，从而有效执行下一代手机的各种重要特色...

  • 三星宣布大规模生产第五代V

    该接口被称为数据传输的高速公路，在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。与前一代产品相比，后者使存储的传输速度提高了40%。此外...

  • 供应三星4GB SLC高速闪存芯片K9WBG08U1B

    本页信息为深圳市英德州科技有限公司为您提供的"供应三星4GB SLC高速闪存芯片K9WBG08U1B"产品信息，如您想了解更多关于"供应三星4GB SLC高速闪存芯片K9WBG08U1B"价格、型号...

三星超高速闪存芯片

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