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  • 三星取得半导体专利，提高半导体器件的性能

    金融界2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括扩散中断区的半导体器件“，授权公告号CN110828569B，申请日期为2019年6月。专利摘要显示，提供了一种半导体器件和形成...

  • 三星取得半导体器件及其制造方法专利，提高半导体器件的制造效率

    专利摘要显示，本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上依次形成目标层和第一掩模层；将所述第一掩模层图案化以在所述第一掩模层中形成第一开口；在所述第一开口的内壁上形成间隔物；在所述第一掩模层上形成第一光...

  • 三星取得半导体器件专利，提升设备性能

    专利摘要显示，一种半导体器件包括：包括有源图案的衬底；跨越有源图案的栅电极；源极/漏极图案，与栅电极的一侧相邻并且在有源图案的上部；电连接到源极/漏极图案的有源接触；以及在源极/漏极图案与有源接触之间的硅化物层，源极/...

  • 三星取得半导体器件专利，提升存储单元性能

    专利摘要显示，半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋...

  • 三星取得半导体器件专利，提升源极/漏极区的接触效果

    专利摘要显示，一种包括鳍型场效应晶体管(fin‑FET)的半导体器件包括：设置在衬底上的有源鳍；在有源鳍的两侧上的隔离层；形成为与有源鳍和隔离层交叉的栅极结构；在栅极结构的侧壁上在有源鳍上的源极/漏极区；第一层间绝缘层，在隔...

  • 三星取得半导体器件专利，提供一种新型的半导体器件

    金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN109003975B，申请日期为2018年5月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍型图案及第...

  • 三星取得半导体器件专利，其包括顺序地设置在衬底上的底电极、电介质层和顶电极

    专利摘要显示，公开了一种半导体器件，其包括顺序地设置在衬底上的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括铪氧化物层和氧化籽晶层，铪氧化物层包含具有四方晶体结构的铪氧化物，氧化籽晶层包含氧化籽晶材料。氧化籽晶材料具有一晶格常...

  • 三星取得半导体器件及制造其的方法专利，实现半导体器件的高效制造

    专利摘要显示，一种半导体器件包括衬底、外围结构、下绝缘层和堆叠。衬底包括外围电路区域和单元阵列区域。外围结构在外围电路区域上。下绝缘层覆盖外围电路区域和单元阵列区域，并且具有从平坦部分凸出的凸出部分。堆叠在下绝缘层和单...

  • 三星取得半导体器件制造方法专利，可实现在基板中形成被掩埋的多条栅极线

    该方法包括：在基板上形成器件隔离层，该器件隔离层限定多个有源区；以及形成与有源区交叉且被掩埋在基板中的多条栅极线。形成栅极线包括在基板上形成与有源区交叉的沟槽；在沟槽的侧壁和底表面上形成功函数控制层；在功函数控制层上形成导电层；在功函数控制层上和在导电层上顺序地形成阻挡层和源层，源层包括功函数控制元素；以及使功函数控制元素从源层扩散到功函数控制层的上部分中。

  • 三星取得半导体器件专利，提供一种新型半导体器件

    金融界2023年12月20日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN109390406B，申请日期为2018年7月。专利摘要显示，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括鳍型图案、在鳍型图案的侧...

三星取得半导体器件专利

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